相較於 Si、GaAs 半導體材料，SiC、GaN 具備下列何種特性？
A窄能隙
B低遷移率
C高崩潰電壓正確答案
D低導熱率
答案與詳解
為什麼答案是 C
寬能隙使臨界電場強度提升約 10 倍，故 SiC、GaN 具高崩潰電壓 (Breakdown Voltage)，是功率元件 (電動車、快充) 的核心優勢。
考點：能隙大小考點：載子遷移率考點：崩潰電壓考點：導熱特性
載入中…
寬能隙使臨界電場強度提升約 10 倍，故 SiC、GaN 具高崩潰電壓 (Breakdown Voltage)，是功率元件 (電動車、快充) 的核心優勢。
