在高純度矽半導體中摻雜元素「砷（As）」之目的為何？
A增加少數載子
B增加導電性正確答案
C增加電洞數量
D增加電阻值
答案與詳解
逐選項解析
A增加少數載子多數 vs 少數載子✕ 易錯陷阱
砷是五價施體雜質，摻入後增加的是「多數載子」電子，不是少數載子。少數載子在 N 型半導體中指的是電洞，反而會因複合而減少。
B增加導電性摻雜目的✓ 正確
摻雜的本質目的就是提升導電性。砷提供自由電子，使載子濃度大增，電阻下降、導電性提升，形成 N 型半導體。
C增加電洞數量✕ 易錯陷阱
D增加電阻值✕ 錯誤
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