圖示電路，若 $V_{CC} = 9 \, V$ 、 $R_{C} = 2 \, k\Omega$ 、 $R_{B} = 100 \, k\Omega$ ，電晶體之 $\beta = 100$ ， $V_{BE} = 0.7 \, V$ ，今若電晶體工作在主動區（active region）與飽和區（saturation region）之交界； $V_{CE(sat)} = 0.2 \, V$ ，則電壓 $V_{BB}$ 約為何？

正確答案為 C。電晶體主動區與飽和區交界即為邊緣飽和，此時 VCE=0.2V 且 IC=βIB 仍成立，以此反推 VBB。

共 2 類科共用卷

鐵路人員考試高員三級-電子工程國安五等考試-電子組

電子學大意112 年第 22 題單選題

圖示電路，若 $V_{C C} = 9 V$ 、 $R_{C} = 2 k Ω$ 、 $R_{B} = 100 k Ω$ ，電晶體之 $β = 100$ ， $V_{B E} = 0.7 V$ ，今若電晶體工作在主動區（active region）與飽和區（saturation region）之交界； $V_{C E (s a t)} = 0.2 V$ ，則電壓 $V_{B B}$ 約為何？

A3.6 V

B4.2 V

C5.1 V正確答案

D6.5 V

答案與詳解

正確答案

電晶體主動區與飽和區交界即為邊緣飽和，此時 VCE=0.2V 且 IC=βIB 仍成立，以此反推 VBB。

正確應用邊緣飽和條件：IC=(9-0.2)/2k=4.4mA，IB=4.4mA/100=44μA，VBB=44μA×100k+0.7=5.1V。

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