圖示電路，若 $V_{C C} = 9 V$ 、 $R_{C} = 2 k Ω$ 、 $R_{B} = 100 k Ω$ ，電晶體之 $β = 100$ ， $V_{B E} = 0.7 V$ ，今若電晶體工作在主動區（active region）與飽和區（saturation region）之交界； $V_{C E (s a t)} = 0.2 V$ ，則電壓 $V_{B B}$ 約為何？

A3.6 V

B4.2 V

C5.1 V正確答案

D6.5 V

答案與詳解

正確答案

電晶體主動區與飽和區交界即為邊緣飽和，此時 VCE=0.2V 且 IC=βIB 仍成立，以此反推 VBB。

A3.6 V✕ 易錯陷阱

若誤將 VCE 設為 0V（理想飽和）或計算 IB 時忘記加 VBE=0.7V，會得出偏低電壓，屬常見計算失誤。

B4.2 V✕ 錯誤

數值接近但非精確解，可能源於四捨五入錯誤或誤用 VCE=0.3V 等舊規格，不符合本題給定條件。

C5.1 V✓ 正確

D6.5 V✕ 易錯陷阱

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精選詳解

圖示電路，若 VCC​=9V 、 RC​=2kΩ 、 RB​=100kΩ ，電晶體之 β=100 ， VBE​=0.7V ，今若電晶體工作在主動區（active region）與飽和區（saturation region）之交界； VCE(sat)​=0.2V ，則電壓 VBB​ 約為何？