圖示為某 Vt = 1 V 之 NMOS 場效電晶體所構成的電路，若電晶體工作在飽和區（saturation region），下列有關電壓 VD 之敘述，何者正確？
A$V_{D}$ 之最大值為 1 V
B$V_{D}$ 之最小值為 $1\mathrm{V}$
C$V_{D}$ 之最大值為 2 V
D$V_{D}$ 之最小值為 2 V正確答案
答案與詳解
逐選項解析
A$V_{D}$ 之最大值為 1 VVt概念混淆✕ 易錯陷阱
1V是臨界電壓Vt本身，容易誤以為VD最大值=Vt，但飽和條件與Vt直接等值無關，此為陷阱選項。
B$V_{D}$ 之最小值為 $1\mathrm{V}$飽和/線性區判斷✕ 錯誤
VD最小值若為1V則VDS=1V，而VGS-Vt=2V，VDS<VGS-Vt，電晶體處於線性區而非飽和區，敘述錯誤。
C$V_{D}$ 之最大值為 2 V✕ 易錯陷阱
D$V_{D}$ 之最小值為 2 V✓ 正確
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