圖示為某 Vt = 1 V 之 NMOS 場效電晶體所構成的電路，若電晶體工作在飽和區（saturation region），下列有關電壓 VD 之敘述，何者正確？
A$V_{D}$ 之最大值為 1 V
B$V_{D}$ 之最小值為 $1\mathrm{V}$
C$V_{D}$ 之最大值為 2 V
D$V_{D}$ 之最小值為 2 V正確答案
答案與詳解
為什麼答案是 D
圖中源極接地故VD=VDS；飽和條件要求VDS ≥ VGS-Vt=3-1=2V，因此VD最小值恰為2V，正確。
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