鐵路人員考試高員三級-電子工程電子學大意111 年第 5 題單選題
對於 n-通道增強型單一 MOSFET，下列敘述何者錯誤？
A汲極為 n 型半導體
B源極為 n 型半導體
C本體（body）為 n 型半導體正確答案
D通道傳導的載子為電子
C正確答案
n通道增強型MOSFET的本體（body）必為p型半導體，才能在閘極加正電壓時形成n型反轉層通道。
為什麼答案是 C
錯誤！n通道增強型MOSFET的本體（body/substrate）必須是p型半導體。當閘極施加足夠正電壓時，p型本體表面的電子被吸引形成反轉層（n型通道），此即「增強」之意。若本體為n型則無法形成反轉通道。
載入中…
完整詳解
Pro · 無限重點 n通道增強型MOSFET的本體（body）必為p型半導體，才能在閘極加正電壓時形成n型反轉層通道。
口訣：『n通道 → 源汲n、本體p』；通道型態與本體型態永遠相反。
逐選項分析
A✕
n通道MOSFET的汲極（Drain）確實是重摻雜n+型半導體，作為電子的流出端，敘述正確。
B✕
源極（Source）同樣是重摻雜n+型半導體，作為電子的流入端，與汲極對稱，敘述正確。
C✓ 正確
錯誤！n通道增強型MOSFET的本體（body/substrate）必須是p型半導體。當閘極施加足夠正電壓時，p型本體表面的電子被吸引形成反轉層（n型通道），此即「增強」之意。若本體為n型則無法形成反轉通道。
D✕
n通道意指通道中導電的多數載子為電子，由源極流向汲極，敘述正確。p通道則以電洞為載子。
MOSFET 結構對照表
| 類型 | 源極/汲極 | 本體(Body) | 通道載子 |
|---|
| n通道 MOSFET | n+型 | p型 | 電子 |
| p通道 MOSFET | p+型 | n型 | 電洞 |
最容易誤選的陷阱是「以為n通道元件全部都是n型」。實際上源極、汲極是n+，但本體(body)必須相反極性為p型，這樣PN接面才能隔離，且能形成反轉層通道。口訣：通道型態 ≠ 本體型態。 
