如圖直接耦合串級放大器電路中，已知電晶體 Q1 和 Q2 的電流增益分別為 ${\beta }_1=50$ 和 ${\beta }_2=100$，若 Q1 和 Q2 的 $V_{BE}$ 都是 $0.7\text{ V}$ 且輸出阻抗 $r_o$ 不計，求電晶體 Q1 的射極電壓 $V_{E1}$ 約為多少？

正確答案。步驟：①兩個1MΩ對+9V分壓→V_B1=4.5V；②V_E1=V_B1−V_BE1，但V_B1由輸入電容隔離，靜態時Q1基極由分壓決定為4.5V；③Q1射極電流I_E1流入Q2基極，Q2基極電流I_B2=I_E1；④電流源50μA從V_E1節點抽走電流，KCL：I_E1=I_B2+50μA；⑤I_E1=(β1+1)·I_B1，Q1基極電流極小可忽略；⑥由V_E1節點：Q2的I_B2=(I_C2)/(β2)，I_C2由5mA電流源決定上限，實際Q2工作在主動區；⑦最終V_E1=V_B1−V_BE1=4.5−0.7=3.8V初估，但需考慮50μA電流源壓降及Q1基極實際電位；精確計算：V_B1靠分壓+輸入為AC耦合，靜態V_B1=9×(1M/(1M+1M))=4.5V，V_E1=4.5−V_BE1=4.5−0.7=3.8V但這是D選項；重新考慮：Q1的I_B1不可忽略時，分壓電流=9V/2MΩ=4.5μA，而I_B1=(I_E1)/(β1+1)；I_E1流入Q2基極+50μA電流源；Q2的I_B2=I_C2/β2=5mA/100=50μA（若Q2由5mA電流源設定I_C2≈5mA）；故I_E1=I_B2+50μA=50μA+50μA=100μA；I_B1=I_E1/(β1+1)=100μA/51≈2μA；V_B1=9−(4.5μA−2μA)×1MΩ的修正≈4.5V（修正量小）；V_E1=V_B1−0.7≈4.5−0.7=3.8V → 仍為D？再仔細：上偏壓電阻接+9V，下偏壓電阻接地，Q1基極電流從上電阻流入：V_B1=(9−V_B1)/1MΩ×1MΩ=V_B1，即V_B1=4.5V無負載；有I_B1負載：V_B1=9×[1M‖(β1+1)·R_E_eff]/(1M+...)，R_E_eff極大→V_B1≈4.5V；V_E1≈3.8V為D。但正解是C=2.8V，需重新審視電路：圖中Q1為PNP（射極朝上接+9V側，電流I_E1向下），Q2為NPN。Q1(PNP)：射極接+9V經電阻？不，圖示Q1集電極朝上，射極朝下輸出V_E1。重看圖：Q1基極偏壓由兩個1MΩ從+9V分壓得4.5V；Q1為NPN，射極在下方，V_E1為射極電位；50μA電流源從V_E1節點往地抽電流；Q2基極接V_E1，Q2為NPN，5mA電流源在Q2射極往地。Q2的V_BE2=0.7V，Q2射極電壓V_S2=V_E1−0.7V（若Q2為射極跟隨）；不，Q2集電極接+9V，射極接5mA電流源到地，是射極跟隨器；Q2的I_E2≈5mA（由電流源決定）；I_B2=I_E2/(β2+1)=5mA/101≈49.5μA≈50μA；I_E1=50μA(電流源)+I_B2=50μA+50μA=100μA；Q1射極電流I_E1=100μA；Q1的I_B1=I_E1/(β1+1)=100μA/51≈2μA；V_B1=4.5V（分壓，2μA對1MΩ壓降=2V，修正後V_B1=9−(4.5μA+2μA)×1MΩ...）；上電阻電流=(9−V_B1)/1MΩ，下電阻電流=V_B1/1MΩ，KCL：(9−V_B1)/1M = V_B1/1M + I_B1；(9−V_B1)=V_B1+I_B1×1M=V_B1+2μA×1MΩ=V_B1+2；9−V_B1=V_B1+2；V_B1=3.5V；V_E1=V_B1−V_BE1=3.5−0.7=2.8V ✓ 答案C正確！