圖示之空乏型金氧半場效電晶體（MOSFET）的特性參數包括：夾止電壓 VP=-4 V、於 VGS=0 V 的夾止飽和電流 IDSS=16 mA，該 MOSFET 的輸出直流偏壓 VDSQ 等於多少？
A2 V
B3 V
C4 V正確答案
D5 V
答案與詳解
為什麼答案是 C
由圖：VDD=+6V，偏置用-6V經兩個3MΩ分壓。VGS=VG−VS，VG=(-6V)×(3M/(3M+3M))+(0)=−3V（對地），VS=0（Source接地）→VGS=−3V。IDQ=IDSS×(1−VGS/VP)²=16mA×(1−(−3)/(−4))²=16×(1/4)²=16×(1/16)=1mA。VDSQ=VDD−IDQ×RD=6−1m×2k=6−2=4V。
考點：偏壓計算錯誤考點：分壓計算錯誤考點：空乏型MOSFET偏壓考點：分壓陷阱
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