如圖所示之電路，若電晶體操作在飽和區（saturation region），下列何種調整方式可使電晶體進入主動區（active region）？
A提高 Vb
B提高 VCC正確答案
C提高 R
D選用逆向飽和電流（Is）較大之 BJT 電晶體
答案與詳解
為什麼答案是 B
圖中VCC透過電阻R接至集極（vo節點），提高VCC會直接提升集極節點電位上限，使VCE增大。當VCE超過VCE(sat)約0.2V後，電晶體即可離開飽和進入主動區，此為最直接有效的方法。
考點：飽和更深考點：VCE增大→主動區考點：R增→VCE降考點：Is影響可忽略
載入中…
