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地方特考電子學大意106 年第 5 題單選題

將一個 n-通道增強型 MOSFET 操作在飽和區時，下列何者正確？

A閘極的電壓不得比源極電壓高一個臨界電壓（threshold voltage）
B閘極對源極的電壓應為負值
C閘極的電壓不得比汲極電壓高一個臨界電壓（threshold voltage）正確答案
D通道電流由源極流向汲極
答案與詳解
C
正確答案
n-通道增強型 MOSFET 操作在飽和區的關鍵條件是必須導通（VGS > Vt）且通道夾止（VDS ≥ VGS - Vt），移項後即為 VGD ≤ Vt。

為什麼答案是 C

飽和區的條件為 VDS ≥ VGS - Vt。將不等式移項可得 VGS - VDS ≤ Vt，因為 VGS - VDS = VGD，所以 VGD ≤ Vt。這代表閘極電壓（VG）不得比汲極電壓（VD）高出一個臨界電壓（Vt）。

考點：導通條件考點：元件特性考點：飽和區條件考點：電流方向
載入中…

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