五等-電子工程電子學大意106 年第 3 題單選題

下圖是一矽場效電晶體（Si FET）元件的剖面結構，各層使用不同材料，圖中僅標示某假想製程厚度，此電晶體的臨界電壓（threshold voltage）的絕對值為 $∣ V_{t h} ∣ = 0.5 V$ 。 $V_{D 1} = 2 V$ ， $V_{D 2} = - 2 V$ ， $V_{D} = 2 V$ ， $V_{E} = - 2 V$ 。試研判此電晶體在目前的偏壓條件下通道電流（Channel current）的主要流動方向？

A由右向左水平流動

B由左向右水平流動正確答案

C由上往下垂直流動

D由下往上垂直流動

答案與詳解

正確答案

此Si FET結構中，VD1=2V(左n+)為source，VD2=-2V(右n+)為drain，通道電流由電位高處(左)流向電位低處(右)，即由左向右水平流動。

由圖可見：左側n+區域接VD1=2V，右側n+區域接VD2=-2V。左側電位(2V)高於右側電位(-2V)，傳統電流由高電位流向低電位，故通道電流由左向右水平流動。VD=2V，VE=-2V，VD-VE=4V>|Vth|=0.5V，閘極有效開啟通道，確認導通。

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