下圖是一矽場效電晶體（Si FET）元件的剖面結構，各層使用不同材料，圖中僅標示某假想製程厚度，此電晶體的臨界電壓（threshold voltage）的絕對值為|Vth| = 0.5 V。VD1 = 2 V，VD2 = -2 V，VD = 2 V，VE = -2 V。試研判此電晶體在目前的偏壓條件下通道電流（Channel current）的主要流動方向？
A由右向左水平流動
B由左向右水平流動正確答案
C由上往下垂直流動
D由下往上垂直流動
答案與詳解
為什麼答案是 B
由圖可見：左側n+區域接VD1=2V，右側n+區域接VD2=-2V。左側電位(2V)高於右側電位(-2V)，傳統電流由高電位流向低電位，故通道電流由左向右水平流動。VD=2V，VE=-2V，VD-VE=4V>|Vth|=0.5V，閘極有效開啟通道，確認導通。
考點：電流方向混淆考點：通道電流方向考點：FET通道方向
載入中…
