五等-電子工程電子學大意109 年第 4 題單選題考點：PMOS飽和區判斷考點：PMOS三極管區條件
圖示電路中場效電晶體（FET）之 Vt = −0.7 V，下列電壓何者可使電晶體工作在三極管區（Triode Region）？
A$V_{G} = 1\mathrm{V}\cdot V_{D} = 1\mathrm{V}$
B$V_{G} = 2\mathrm{V}\cdot V_{D} = 3\mathrm{V}$正確答案
C$V_{G} = 3\mathrm{V}\cdot V_{D} = 2\mathrm{V}$
D$V_{G} = 4\mathrm{V}\cdot V_{D} = 5\mathrm{V}$
B正確答案
PMOS三極管區條件：|VGS|>|Vt| 且 |VDS|<|VGS|−|Vt|，逐一代入篩選正確選項B。
逐選項解析
A$V_{G} = 1\mathrm{V}\cdot V_{D} = 1\mathrm{V}$PMOS飽和區判斷✕ 易錯陷阱
VG=1V，VS=+4V → VSG=3V，|Vt|=0.7V，導通✓。VD=1V → VSD=3V。三極管區需VSD<VSG−|Vt|=2.3V，但VSD=3V>2.3V，故在飽和區而非三極管區。
B$V_{G} = 2\mathrm{V}\cdot V_{D} = 3\mathrm{V}$PMOS三極管區條件✓ 正確
VG=2V，VS=+4V → VSG=2V>|Vt|=0.7V，導通✓。VD=3V → VSD=1V。三極管區需VSD<VSG−|Vt|=1.3V，1V<1.3V ✓，滿足三極管區條件。
C$V_{G} = 3\mathrm{V}\cdot V_{D} = 2\mathrm{V}$✕ 錯誤
D$V_{G} = 4\mathrm{V}\cdot V_{D} = 5\mathrm{V}$✕ 易錯陷阱
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