如圖所示之場效電晶體電路，則此電晶體工作在：
A飽和區（Saturation Region）正確答案
B截止區（Cutoff Region）
C三極管區（Triode Region）
D主動區（Active Region）
答案與詳解
逐選項解析
A飽和區（Saturation Region）NMOS飽和區判斷✓ 正確
圖中RG連接閘極(G)與汲極(D)，使VGS=VDS。NMOS飽和條件為VDS≥VGS−Vth，代入VDS=VGS得VGS≥VGS−Vth即Vth≥0，此條件恆成立（Vth>0），故電晶體工作於飽和區。
B截止區（Cutoff Region）NMOS截止條件✕ 錯誤
截止區需VGS<Vth。由圖可見RG提供閘極偏壓使電晶體導通，VGS>Vth，故不在截止區。
C三極管區（Triode Region）✕ 易錯陷阱
D主動區（Active Region）✕ 易錯陷阱
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