如圖所示為一 NMOS 構成的放大器。若 $V_{DD}=3V$ ，電晶體之 ${\mu }_n{C}_{ox}=200\mu A/V^2$ ，W/L = 10， $V_{th}=0.5V$ 。試問電晶體的過驅電壓 $V_{OV}$ 為多少？

正確。由圖可知汲極電流 I_D = 1mA (1000μA)。由圖知直流時電容開路，V_G=V_D，NMOS 必在飽和區。代入 I_D = 1/2 * μnCox * (W/L) * V_OV^2，得 1m = 0.5 * 200μ * 10 * V_OV^2，解得 V_OV=1V。