如圖所示為一 NMOS 構成的放大器。若 ，電晶體之 ，W/L = 10， 。試問電晶體的過驅電壓 為多少？
A0.5 V
B1 V正確答案
C1.5 V
D3 V
答案與詳解
逐選項解析
A0.5 V名詞定義混淆✕ 易錯陷阱
0.5V 是題目給定的臨界電壓 V_th，而非過驅電壓 V_OV。過驅電壓定義為 V_GS - V_th，兩者名詞與物理意義不同，切勿混淆。
B1 V飽和區電流計算✓ 正確
正確。由圖可知汲極電流 I_D = 1mA (1000μA)。由圖知直流時電容開路，V_G=V_D，NMOS 必在飽和區。代入 I_D = 1/2 * μnCox * (W/L) * V_OV^2，得 1m = 0.5 * 200μ * 10 * V_OV^2，解得 V_OV=1V。
C1.5 V✕ 錯誤
D3 V✕ 錯誤
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