有一矽雙極性接面電晶體（Si-BJT）電路及輸入接腳 vi1、vi2 的電壓波形如圖所示，VCC = 5 V，R1 = R2 = 1 kΩ，R3 = R4 = 100 Ω，CL = 5 μF，電晶體電流增益 βQ1 = βQ2 = 100。試研判電晶體 Q1 在時間點 0 最可能的工作模式：
A飽和模式（Saturation mode）正確答案
B線性模式（Linear mode）
C主動模式（Active mode）
D截止模式（Cut-off mode）
答案與詳解
為什麼答案是 A
t=0時vi2=5V，Q1基極電流IB≈(5-0.7)/100≈43mA，β×IB=100×43mA=4300mA遠大於飽和臨界IC(sat)=VCC/R1=5V/1kΩ=5mA，Q1深度飽和，VCE≈0.2V，工作於飽和模式。
考點：BJT飽和判斷考點：飽和vs線性混淆考點：主動區條件不符考點：截止條件不符
載入中…
