如圖所示一矽場效電晶體（Si FET）元件的剖面結構，各層使用不同材料，圖中僅標示某假想製程厚度，此電晶體的臨界電壓（threshold voltage）的絕對值為 $V_{th}=0.5$ V。$V_{D1}$ = 2 V，$V_{D2}$ = -2 V，$V_D$ = 2 V，$V_E$ = -2 V。若 $V_E$ 由-2 V 增加到-3 V，試判斷此電晶體的臨界電壓的絕對值 $V_{th}$ 如何變化？