初考-電子工程電子學大意106 年第 3 題單選題
場效電晶體之本體效應（Body effect）是討論：
A本體（Body）的電壓可控制汲極（Drain）電流正確答案
B本體（Body）的電流可控制閘極（Gate）電流
C汲極（Drain）的電流可控制本體（Body）電流
D閘極（Gate）的電壓可控制本體（Body）電壓
A正確答案
本體效應：Body（基體）電壓改變門檻電壓 Vt，進而影響汲極電流 ID。
為什麼答案是 A
正確。當源極與本體間電壓 VSB ≠ 0 時，門檻電壓 Vt 會隨之升高，造成 ID 改變。這就是本體效應的核心：本體電壓間接控制汲極電流。
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完整詳解
Pro · 無限重點 本體效應：Body（基體）電壓改變門檻電壓 Vt，進而影響汲極電流 ID。
看到『Body effect』→ 想到 VSB 改變 Vt → 影響 ID，選「本體電壓控制汲極電流」。
逐選項分析
A✓ 正確
正確。當源極與本體間電壓 VSB ≠ 0 時，門檻電壓 Vt 會隨之升高，造成 ID 改變。這就是本體效應的核心：本體電壓間接控制汲極電流。
B✕ 陷阱
錯誤。閘極為絕緣結構，理想上 IG ≈ 0，不存在被本體電流控制的關係。且本體效應討論的是『電壓』對特性的影響，非電流對電流。
C✕
錯誤。方向顛倒。本體效應是 Body 影響 Drain，不是 Drain 反過來控制 Body。且 FET 本體通常接固定電位，不討論本體電流變化。
D✕ 陷阱
錯誤。閘極電壓控制的是通道（channel）反轉程度與 ID，不是控制本體電壓。本體通常接到源極或最低電位作為參考，非被閘極控制。
MOSFET 四端點與本體效應
| 端點 | 符號 | 正常功能 | 與本體效應關係 |
|---|
| 閘極 | G (Gate) | 電壓控制通道形成 | 無直接關係 |
| 汲極 | D (Drain) | 收集通道電流 ID | 受本體效應影響→ID 下降 |
| 源極 | S (Source) | 提供載子 | 常與 Body 短路避免效應 |
| 本體 | B (Body) | 基體偏壓 VSB 改變 Vt | 本體效應主角 |
MOSFET 有四個端點,其中 Body(基體)常被忽略但它才是本體效應的主角。核心邏輯是單向因果鏈:Body 電壓改變→門檻電壓 Vt 位移→汲極電流 ID 受影響。考生最常搞混的是把閘極(Gate)拉進來:閘極負責控制通道開關,但本體效應跟它無關,是 Body 與 Source 之間的電位差在作怪。分辨重點:看到「閘極絕緣」「閘極電流」就該警覺,MOSFET 閘極本來就幾乎零電流,跟本體效應是兩回事。另一個陷阱是因果反轉,把「電流變化導致電壓改變」當答案,但實際是電壓(Body)先動才會影響電流。 
