某 FET 工作在飽和區（Saturation Region），其 $|i_D|-v_{GS}$ 關係如圖所示， $|i_D|$ 是汲極電流之大小，則此 FET 為：

空乏型PMOS：①vGS=0時|iD|最大(有內建通道)→空乏型✓；②圖中Vt標於正vGS軸，當vGS達到正值Vt時電流趨近於零，PMOS以正vGS截止✓；③電流隨vGS往正方向增大而單調遞減→PMOS特性✓。三點完全吻合。