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地方特考電子學大意1081單選題

某 FET 工作在飽和區(Saturation Region),其|iD|-vGS 關係如圖所示,|iD|是汲極電流之大小,則此 FET 為:

題目附圖
A增強型 NMOS
B增強型 PMOS
C空乏型 NMOS
D空乏型 PMOS正確答案
答案與詳解
D
正確答案
圖中|iD|在vGS=0時有電流、Vt為正值且電流隨vGS增大而減小,這是空乏型PMOS的飽和區特徵。

為什麼答案是 D

空乏型PMOS:①vGS=0時|iD|最大(有內建通道)→空乏型✓;②圖中Vt標於正vGS軸,當vGS達到正值Vt時電流趨近於零,PMOS以正vGS截止✓;③電流隨vGS往正方向增大而單調遞減→PMOS特性✓。三點完全吻合。

考點:增強型NMOS特性考點:增強型PMOS特性考點:空乏型NMOS特性考點:空乏型PMOS特性
載入中…

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