圖中電晶體 M1 之 $\mu_{n}C_{ox}(W/L)_{1}=0.5[\mu_{n}C_{ox}(W/L)_{2}]=0.5\mathrm{mA/V^{2}}$ ，臨界電壓 $\mathrm{V}_{\mathrm{T}}=0.8\mathrm{~V}$ ，若忽略通道調變效應，則 $\mathrm{V}_{\mathrm{o}}=$ ？

正確答案為 B。MOSFET電流鏡/放大器偏壓計算，利用飽和區電流公式與KCL節點分析求解Vo。

五等-電子工程電子學大意108 年第 26 題單選題

圖中電晶體 M1 之 $μ_{n} C_{o x} (W / L)_{1} = 0.5 [μ_{n} C_{o x} (W / L)_{2}] = 0.5 mA/ V^{2}$ ，臨界電壓 $V_{T} = 0.8 V$ ，若忽略通道調變效應，則 $V_{o}$ =？

0.1 V

2.8 V

正確答案

4.8 V

4.9 V

答案與詳解

正確答案

MOSFET電流鏡/放大器偏壓計算，利用飽和區電流公式與KCL節點分析求解Vo。

正確答案。M1與M2串聯電流相等，由M1參數求得ID後，代入M2之飽和區電流公式解出VGS2，再以VDD-VGS2即得Vo=4.8V。

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