圖中電晶體 M1 之 $\mu_{n}C_{ox}(W/L)_{1}=0.5[\mu_{n}C_{ox}(W/L)_{2}]=0.5\mathrm{mA/V^{2}}$ ，臨界電壓 $\mathrm{V}_{\mathrm{T}}=0.8\mathrm{~V}$ ，若忽略通道調變效應，則 $\mathrm{V}_{\mathrm{o}}=$ ？ (A) 4.9 V (B) 4.8 V (C) 2.8 V (D) 0.1 V

五等-電子工程電子學大意108 年第 26 題單選題

圖中電晶體 M1 之 $μ_{n} C_{o x} (W / L)_{1} = 0.5 [μ_{n} C_{o x} (W / L)_{2}] = 0.5 mA/ V^{2}$ ，臨界電壓 $V_{T} = 0.8 V$ ，若忽略通道調變效應，則 $V_{o} =$ ？

A4.9 V

B4.8 V正確答案

C2.8 V

D0.1 V

答案與詳解

正確答案

MOSFET電流鏡/放大器偏壓計算，利用飽和區電流公式與KCL節點分析求解Vo。

A4.9 V✕ 易錯陷阱

4.9V 可能是計算過程中未精確扣除臨界電壓 VT=0.8V，或誤將過驅動電壓當作輸出電壓本身，屬於數值近似陷阱。

B4.8 V✓ 正確

C2.8 V✕ 易錯陷阱

2.8V 可能是誤用線性區公式計算，或錯誤假設M2處於三極體區導致過驅動電壓估算過大，使Vo被低估。

D0.1 V✕ 錯誤

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