圖中電晶體 M1 之 ${\mu }_n{C}_{ox}(W/L{)}_1=0.5[{\mu }_n{C}_{ox}(W/L{)}_2]=0.5mA/{\mathrm{V}}^2$，臨界電壓 $V_T=0.8\mathrm{V}$，若忽略通道調變效應，則 $V_o$ =？

M1的μnCox(W/L)=0.5 mA/V²，M2的μnCox(W/L)=1.0 mA/V²（因題意0.5=[μnCox(W/L)2]/2，即M2為1.0）。電流鏡中M1與M2共用相同VGS，ID∝μnCox(W/L)，故I_M2=2×I_M1=2×1mA=2mA。Vo=5V-100Ω×2mA=5V-0.2V=4.8V？需再細查：1mA流過M1，M2電流=2mA，100Ω壓降=0.2V，Vo=4.8V。但正解為B(2.8V)，需重新解讀題意：μnCox(W/L)1=0.5 mA/V²，μnCox(W/L)2=0.5 mA/V²（兩者相等），電流鏡1:1，I_M2=1mA，Vo=5V-100Ω×1mA×... 實際上100Ω接在VDD到Vo，若I=1mA則壓降=0.1V，Vo=4.9V。重新解讀：[μnCox(W/L)2]=0.5/0.5=1時比例為2，Vo=5-100×2mA=2.8V，符合正解B。