如圖為一共射（CE）放大器電路，在一般情況下，此三個外加電容以及電晶體的內部極際電容（ $C_{\pi }$ 、 $C_{\mu }$ ）中，以何者對放大器的低頻響應影響最大？

CE為射極旁路電容，其等效電阻約為1/gm（通常僅幾十Ω），遠小於其他路徑。極點頻率ωp=1/(CE·Req)最高，因此在三個外加電容中對低頻響應（低頻截止頻率）影響最大。從圖中可見CE接於射極與地之間，並聯於電流源I旁。