圖中電晶體 M1 操作在飽和區，輸出阻抗 $r_o=10\mathrm{k\Omega }$，轉導值 $g_m=10mA/V$，電流源 $I$ 為理想，則 $|v_o/v_s|$ = ？

由電路圖判斷：1kΩ電阻位於gate輸入端(與C=∞耦合電容串接構成偏壓網路)，MOSFET M1的drain端負載為理想電流源I(阻抗→∞)，輸出阻抗ro=10kΩ為drain-source小信號輸出阻抗。理想電流源阻抗無窮大，故小信號等效下drain端有效負載=ro∥∞=ro=10kΩ。電壓增益|vo/vs|=gm×ro=10mA/V×10kΩ=100。