圖示之增強型 MOSFET 放大器中，MOSFET 的輸出直流偏壓 $V_{DSQ}$ 等於多少？電晶體的臨界電壓 $V_{th}=1\ V$ 且 $\mu_{n}C_{ox}(W/L)=2\ mA/V^{2}$ 。

五等-電子工程電子學大意108 年第 29 題單選題

圖示之增強型 MOSFET 放大器中，MOSFET 的輸出直流偏壓 $V_{D S Q}$ 等於多少？電晶體的臨界電壓 $V_{t h} = 1$ V 且 $μ_{n} C_{o x} (W / L) = 2$ mA/V $^{2}$ 。

A4 V

B5 V正確答案

C6 V

D8 V

答案與詳解

正確答案

增強型 MOSFET 直流偏壓計算，先確認飽和區假設，代入電流公式反推 VDSQ = 6V。

正確答案。假設 MOSFET 操作於飽和區，利用 ID = (1/2)μnCox(W/L)(VGS-Vth)² 求得汲極電流，再透過輸出迴路方程式 VDSQ = VDD - ID×RD 計算得出 6V，且驗證 VDS > VGS - Vth 確認飽和區假設成立。

載入中…

步驟	關鍵公式/動作	注意事項	常見錯誤
1. 假設操作區	假設飽和區 Saturation	增強型 NMOS 最常見工作區	未假設直接套公式
2. 計算 ID	ID=(1/2)K(VGS-Vth)²	K=μnCox(W/L)，注意1/2	漏乘 1/2 或 Vth 未減
3. 輸出迴路	VDS=VDD-ID×RD	克希荷夫電壓定律 KVL	忘記扣電阻壓降
4. 驗證假設	VDS ≥ VGS - Vth	成立則飽和區假設正確	未驗證導致答案無效