五等-電子工程電子學大意108 年第 29 題單選題考點:電源電壓誤用考點:飽和區偏壓計算
圖示之增強型 MOSFET 放大器中,MOSFET 的輸出直流偏壓 VDSQ 等於多少?電晶體的臨界電壓 Vth=1 V 且 μnCox(W/L)=2 mA/V2 。
B正確答案
增強型 MOSFET 直流偏壓計算,先確認飽和區假設,代入電流公式反推 VDSQ = 6V。
逐選項解析
A8 V電源電壓誤用✕ 易錯陷阱
8V 通常為電源電壓 VDD 或誤將 VGS 當作 VDS 的結果。若未扣除電阻壓降直接選電源電壓,即落入未考慮負載線之陷阱。此選項對應未進行迴路計算的直覺錯誤。
B6 V飽和區偏壓計算✓ 正確
正確答案。假設 MOSFET 操作於飽和區,利用 ID = (1/2)μnCox(W/L)(VGS-Vth)² 求得汲極電流,再透過輸出迴路方程式 VDSQ = VDD - ID×RD 計算得出 6V,且驗證 VDS > VGS - Vth 確認飽和區假設成立。
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