如圖所示之電路，假設電晶體 $M_{1}$ 之參數如下： $\mu_{n}C_{ox}W_{1}/L_{1}=32mA/V^{2}$ ， $V_{TH1}=2V$ 且 $\lambda_{1}=0$ ；電晶體 $M_{2}$ 之參數如下： $\mu_{n}C_{ox}W_{2}/L_{2}=8mA/V^{2}$ ， $V_{TH2}=2V$ 且 $\lambda_{2}=0$ ；求 $V_{DS1}$ 之值為何？

五等-電子工程電子學大意109 年第 26 題單選題

如圖所示之電路，假設電晶體 M1之參數如下： $μ_{n} C_{o x} W_{1} / L_{1} = 32 mA/ V^{2}$ ， $V_{T H 1} = 2 V$ 且 $λ_{1} = 0$ ；電晶體 M2之參數如下： $μ_{n} C_{o x} W_{2} / L_{2} = 8 mA/ V^{2}$ ， $V_{T H 2} = 2 V$ 且 $λ_{2} = 0$ ；求 $V_{D S 1}$ 之值為何？

2 V

4 V

正確答案

6 V

8 V

答案與詳解

正確答案

本題為雙NMOS串聯電路，利用飽和區電流公式與KCL電流相等條件，解出VDS1=4V。

正確答案。依原圖電路結構，電源電壓VDD=10V，M1為二極體連線（閘極接汲極），M2閘極接VDD。設VDS1=x，則M1之VGS1=x，M2之VGS2=10-x。由ID1=ID2且λ=0，代入k值與VTH=2V，得16(x-2)²=4(10-x-2)²，解得x=4V符合飽和區條件。

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