如圖所示之電路，假設電晶體 $M_{1}$ 之參數如下： $\mu_{n}C_{ox}W_{1}/L_{1}=32mA/V^{2}$ ， $V_{TH1}=2V$ 且 $\lambda_{1}=0$ ；電晶體 $M_{2…

Question

如圖所示之電路，假設電晶體 $M_{1}$ 之參數如下： $\mu_{n}C_{ox}W_{1}/L_{1}=32mA/V^{2}$ ， $V_{TH1}=2V$ 且 $\lambda_{1}=0$ ；電晶體 $M_{2}$ 之參數如下： $\mu_{n}C_{ox}W_{2}/L_{2}=8mA/V^{2}$ ， $V_{TH2}=2V$ 且 $\lambda_{2}=0$ ；求 $V_{DS1}$ 之值為何？
(A) 2 V
(B) 4 V
(C) 6 V
(D) 8 V

Accepted Answer

正確答案為 B。 本題為雙NMOS串聯電路，利用飽和區電流公式與KCL電流相等條件，解出VDS1=4V。 (A) 【VTH混淆】2V恰為VTH值，考生若誤以為VDS1等於臨界電壓或忘記平方關係易選此項。實際上VDS1須滿足兩管電流平衡，非單純等於VTH。 (B) 【電流匹配】正確答案。依原圖電路結構，電源電壓VDD=10V，M1為二極體連線（閘極接汲極），M2閘極接VDD。設VDS1=x，則M1之VGS1=x，M2之VGS2=10-x。由ID1=ID2且λ=0，代入k值與VTH=2V，得16(x-2)²=4(10-x-2)²，解得x=4V符合飽和區條件。

逐選項解析

立即註冊,看完整詳解

電子學大意相關題目

想練更多電子學大意考古題？

如圖所示之電路，假設電晶體 M1​ 之參數如下： μn​Cox​W1​/L1​=32mA/V2 ， VTH1​=2V 且 λ1​=0 ；電晶體 M2​ 之參數如下： μn​Cox​W2​/L2​=8mA/V2 ， VTH2​=2V 且 λ2​=0 ；求 VDS1​ 之值為何？

逐選項解析

立即註冊,看完整詳解

電子學大意 相關題目

想練更多電子學大意考古題？

電子學大意相關題目