CMOS 反相器結構係由一個 n 通道增強型 MOSFET 與一個 p 通道增強型 MOSFET 組成，p 通道 MOSFET 之源極接 VDD，n 通道 MOSFET 之源極接地。下列何者正確？
A若閘極輸入電位為0，p 通道 MOSFET 導通正確答案
B若閘極輸入電位為 VDD，輸出電位將為 VDD/2
C若 CMOS 輸出電位為0，n 通道 MOSFET 關閉
D若 CMOS 輸出電位為 VDD，將有電流持續通過兩個 MOSFET
答案與詳解
逐選項解析
A若閘極輸入電位為0，p 通道 MOSFET 導通PMOS導通條件✓ 正確
輸入為0時，PMOS的VGS = 0 - VDD = -VDD，|VGS|大於臨界電壓，PMOS導通；同時NMOS的VGS=0，截止。輸出被拉至VDD，完成反相。
B若閘極輸入電位為 VDD，輸出電位將為 VDD/2滿擺幅輸出✕ 易錯陷阱
輸入為VDD時，NMOS導通、PMOS截止，輸出被拉到地（0V），不是VDD/2。CMOS輸出只有滿擺幅0或VDD，絕不會停在中間電位。
C若 CMOS 輸出電位為0，n 通道 MOSFET 關閉✕ 錯誤
D若 CMOS 輸出電位為 VDD，將有電流持續通過兩個 MOSFET✕ 易錯陷阱
立即註冊,看完整詳解
這題的完整詳解,註冊就能看 · 每天 2 題免費
- 完整逐選項解析
- 秒殺解題技巧與破題關鍵
- 關鍵知識表整理
- 陷阱與易錯提醒
- 同考點歷屆題庫連續刷題與錯題本
立即註冊觀看完整詳解 已有帳號?登入
