如圖所示之電路，假設電晶體之參數如下： $\mu_{\mathrm{n}} \mathrm{C}_{\mathrm{ox}} \mathrm{W} / \mathrm{L} = 2 \mathrm{~mA} / \mathrm{V}^{2}, \mathrm{V}_{\mathrm{TH}} = 1 \mathrm{~V}$ 且 $\lambda = 0$ ；跨在電晶體上之直流電壓 $V_{DS}$ 最接近下列何值？

正確答案為 C。NMOS 電路分析題，利用飽和區電流公式反推 V_GS，再經 KVL 求得 V_DS 約為 4.95V。

【109 五等-電子工程】電子學大意第25題：如圖所示之電路，假設電晶體之參數如下： $\… 答案與詳解

C

正確答案

NMOS 電路分析題，利用飽和區電流公式反推 V_GS，再經 KVL 求得 V_DS 約為 4.95V。

正確答案。由 Id=0.5×kn×(VGS-VTH)² 反推 VGS，再透過輸出迴路 KVL (VDS=VDD-Id×RD) 計算得出。4.95V 符合飽和區條件 VDS>VGS-VTH，驗證假設成立。

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