如圖所示之電路，假設電晶體之參數如下： $\mu_{\mathrm{n}} \mathrm{C}_{\mathrm{ox}} \mathrm{W} / \mathrm{L} = 2 \mathrm{~mA} / \mathrm{V}^{2}, \mathrm{V}_{\mathrm{TH}} = 1 \mathrm{~V}$ 且 $\lambda = 0$ ；跨在電晶體上之直流電壓 $V_{DS}$ 最接近下列何值？ (A) −4.95 V (B) −5.75V (C) 4.95 V (D) 5.75 V

五等-電子工程電子學大意109 年第 25 題單選題考點：NMOS偏壓極性考點：符號誤判

如圖所示之電路，假設電晶體之參數如下： $μ_{n} C_{ox} W / L = 2 mA / V^{2}, V_{TH} = 1 V$ 且 $λ = 0$ ；跨在電晶體上之直流電壓 $V_{D S}$ 最接近下列何值？

- 4.95 V

- 5.75 V

4.95 V

正確答案

5.75 V

答案與詳解

正確答案

NMOS 電路分析題，利用飽和區電流公式反推 V_GS，再經 KVL 求得 V_DS 約為 4.95V。

A−4.95 VNMOS偏壓極性✕ 易錯陷阱

負電壓選項通常為干擾項。NMOS 在正常放大區操作時 V_DS 必為正值，除非電路有特殊負電源配置或題目為 PMOS，否則可直接排除負值選項。

B−5.75V符號誤判✕ 錯誤

同 A 選項邏輯，NMOS 飽和區操作下 V_DS > V_OV > 0。此數值可能是計算過程中符號錯誤或未考慮 V_TH 所產生的錯誤結果。

C4.95 V✓ 正確

D5.75 V✕ 易錯陷阱

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