五等-電子工程電子學大意109 年第 10 題單選題考點:偏壓點錯誤考點:½係數遺漏
如圖所示為一 CMOS 反相器在輸入端與輸出端之間接上 1 MΩ 之電阻作為放大器之用。兩個電晶體 QN 與 QP 特性相同; μnCox=μpCox=20μA/V2 , (W/L)n=(W/L)p=10 , Vtn=∣Vtp∣=0.5V 。若 VDD=5V ,則電晶體 QN 的汲極直流偏壓電流為多少?
A100 μA
B200 μA
C400 μA正確答案
D1.6 mA
C正確答案
CMOS反相器加回授電阻偏壓,對稱結構使Q點在VDD/2,兩管均飽和,代入飽和電流公式即得400 μA。
逐選項解析
A100 μA偏壓點錯誤✕ 錯誤
100 μA 對應 VGS-Vtn=1V,即 VGS=1.5V,與對稱偏壓點 VGS=2.5V 不符,計算有誤。
B200 μA½係數遺漏✕ 易錯陷阱
200 μA 常見於漏乘因子算錯(忘掉 ½ 後再除2),是典型陷阱,但代入公式驗算不符。
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