若某一 n 通道金氧半場效電晶體（N-MOSFET） 之臨界電壓 （Threshold Voltage）Vt = 1 V，且其汲極-源極電壓差 VDS = 4 V，閘極-源極電壓差 VGS = 2V，則此電晶體係操作在下列何種區域？
A截止區域（cut-off region）
B三極管區域（triode region）
C歐姆區域（ohmic region）
D飽和區域（saturation region）正確答案
答案與詳解
為什麼答案是 D
飽和區條件為 VGS>Vt 且 VDS≥VGS-Vt。本題 VGS=2V>1V、VDS=4V≥1V，完全符合，通道被夾止（pinch-off），操作於飽和區。
考點：截止區條件考點：三極管區條件考點：歐姆區=三極管區考點：飽和區條件
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