Examly題庫
初考-電子工程電子學大意104 年第 19 題單選題

如圖所示之電路,若 MOSFET 操作在飽和區(Saturation Region),且忽略元件之寄生電容與輸出阻抗,下列何種調整方式無法增加放大器之頻寬?

題目圖片
A減低 CL
B增加 Vb正確答案
C加大偏壓電流 I
D選用寬長比(W / L)較大之元件
答案與詳解
B
正確答案
本圖為源極隨耦器,頻寬約為 gm/CL。因理想電流源固定了 ID,gm 僅與 I 和 W/L 有關,改變 Vb 僅平移直流位準,無法增加頻寬。

逐選項解析

A減低 CL✕ 錯誤
源極隨耦器輸出端主極點為 ωp ≈ gm/CL。減低負載電容 CL 可直接減小時間常數,有效增加頻寬。
B增加 Vb✓ 正確
C加大偏壓電流 I✕ 錯誤
加大偏壓電流 I 即增加 ID。由 gm = √(2μnCox(W/L)ID) 可知,gm 隨 ID 增加而變大,進而提升頻寬 gm/CL。
D選用寬長比(W / L)較大之元件✕ 錯誤

立即註冊,看完整詳解

這題的完整詳解,註冊就能看 · 每天 2 題免費

精選詳解
  • 完整逐選項解析
  • 秒殺解題技巧與破題關鍵
  • 關鍵知識表整理
  • 陷阱與易錯提醒
  • 同考點歷屆題庫連續刷題與錯題本
接著練習整份考卷查看 104 年 初考-電子工程《電子學大意》完整試題與解答

電子學大意 相關題目

想練更多電子學大意考古題?

Examly 收錄 50 萬+ 道歷屆題目,每題都有像這樣的精選詳解。免費下載,立即開練。

Examly