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初考-電子工程電子學大意104 年第 19 題單選題考點:電容與頻寬反比考點:偏壓與 gm 無關性

如圖所示之電路,若 MOSFET 操作在飽和區(Saturation Region),且忽略元件之寄生電容與輸出阻抗,下列何種調整方式無法增加放大器之頻寬?

題目圖片
A減低 CL
B增加 Vb正確答案
C加大偏壓電流 I
D選用寬長比(W / L)較大之元件
答案與詳解
B
正確答案
本圖為源極隨耦器,頻寬約為 gm/CL。因理想電流源固定了 ID,gm 僅與 I 和 W/L 有關,改變 Vb 僅平移直流位準,無法增加頻寬。

逐選項解析

A減低 CL電容與頻寬反比✕ 錯誤
源極隨耦器輸出端主極點為 ωp ≈ gm/CL。減低負載電容 CL 可直接減小時間常數,有效增加頻寬。
B增加 Vb偏壓與 gm 無關性✓ 正確
電路含理想電流源 I,故 ID = I 固定。gm 取決於 ID 與 W/L,與 Vb 無關。增加 Vb 僅使輸出直流位準 Vo 跟著上升,gm 不變,頻寬不變。
C加大偏壓電流 I✕ 錯誤
D選用寬長比(W / L)較大之元件✕ 錯誤

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