分析下圖之電路，若 MOSFET 之轉導值 $g_m=1\text{mA/V}$ 且操作於飽和區，元件之輸出阻抗 $r_o=10\text{k}\Omega ,R_b=10\text{k}\Omega ,R_D=10\text{k}\Omega ,R_S=1\text{k}\Omega$ 。試求輸出阻抗 $R_o$ 約為多少？

正確應用含源極退化之輸出阻抗公式：Rout_mos = ro(1+gmRs) = 10k(1+1m×1k) = 20kΩ。最終輸出阻抗為 RD || Rout_mos = 10k || 20k ≈ 6.67kΩ，最接近 7kΩ。