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初考-電子工程電子學大意104 年第 25 題單選題

如圖電路為一共源放大器的簡圖，若電晶體之臨界電壓（Threshold Voltage） $V_{t} = 0.5 V$ ；又 $V_{D D} = 5 V$ ， $R_{D} = 2 k Ω$ ， $I = 1.5 m A$ 。若要維持電晶體工作於飽和模式，則輸入電壓 $v_{I}$ 之最大直流值 $V_{I m a x}$ 為多大？

題目圖片

A5 V

B2.5 V正確答案

C2 V

D0 V

答案與詳解

B

正確答案

飽和條件 \(V_{DS}\ge V_{GS}-V_t\) 等價於 \(v_I\le V_O+V_t\)，代入 \(V_O=V_{DD}-IR_D=2\,V\) 得 \(V_{I\max}=2.5\,V\)。

逐選項解析

A5 V✕ 錯誤

5 V 為 \(V_{DD}\)，遠超過飽和邊界，會使 MOSFET 進入三極管區。

B2.5 V✓ 正確

由 \(V_{I\max}=V_O+V_t=2+0.5=2.5\,V\) 得到。

C2 V✕ 錯誤

D0 V✕ 錯誤

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