圖中所示的增強型 MOSFET 具有特性參數包括：臨界電壓 $V_{th} = 1 \, V$ 、 $\mu_{n} C_{ox} \, (W/L) = 1 \, mA/V^{2}$ ，如果 MOSFET 的輸入直流電壓 $V_{GSQ}$ 需被設計為 3 V 時，則圖中標示的電阻 R 值應約多少？ (A) 0.5 kΩ (B) 1 kΩ (C) 2 kΩ (D) 3 kΩ

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鐵路人員考試高員三級-電子工程國安五等考試-電子組

電子學大意110 年第 28 題單選題考點：MOSFET源極電阻偏壓考點：偏壓設計驗算

圖中所示的增強型 MOSFET 具有特性參數包括：臨界電壓 $V_{t h} = 1 V$ 、 $μ_{n} C_{o x} (W / L) = 1 m A / V^{2}$ ，如果 MOSFET 的輸入直流電壓 $V_{GS Q}$ 需被設計為 3 V 時，則圖中標示的電阻 R 值應約多少？

A0.5 k

Ω

正確答案

B1 k

Ω

C2 k

Ω

D3 k

Ω

答案與詳解

正確答案

增強型MOSFET偏壓設計：已知V_GSQ=3V，利用分壓電路求V_G，再由I_D計算源極電阻R。

A0.5 kΩMOSFET源極電阻偏壓✓ 正確

V_G = 12×[3MΩ/(6MΩ+3MΩ)] = 4V；V_S = V_G - V_GSQ = 4-3 = 1V；I_D = ½×1mA/V²×(V_GSQ-V_th)² = ½×1×(3-1)² = 2mA；R = V_S/I_D = 1V/2mA = 0.5kΩ，正確答案。

B1 kΩ偏壓設計驗算✕ 錯誤

若R=1kΩ，則V_S=I_D×R=2mA×1kΩ=2V，V_GS=V_G-V_S=4-2=2V≠3V，不符合設計要求。

C2 kΩ✕ 錯誤

D3 kΩ✕ 錯誤

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