圖中所示的增強型 MOSFET 具有特性參數包括：臨界電壓 $V_{th}$ = 1 V、${\mu }_n{C}_{ox}$（W/L）= 1 mA/V${}^2$，如果 MOSFET 的輸入直流電壓 $V_{GSQ}$ 需被設計為 3 V 時，則圖中標示的電阻 $R$ 值應約多少？

V_G = 12×[3MΩ/(6MΩ+3MΩ)] = 4V；V_S = V_G - V_GSQ = 4-3 = 1V；I_D = ½×1mA/V²×(V_GSQ-V_th)² = ½×1×(3-1)² = 2mA；R = V_S/I_D = 1V/2mA = 0.5kΩ，正確答案。