警察鐵路電子學大意105 年第 20 題單選題

若要使一操作於飽和區的 MOS 電晶體的轉導值增為 2 倍，可藉由下列的何種方式改變汲極電流 $I_{D}$ 來達成？

A將

I_{D}

增為 4 倍正確答案

B將

I_{D}

增為 2 倍

C將

I_{D}

增為

2

倍

D將

I_{D}

減半

答案與詳解

正確答案

飽和區MOS的gm與√ID成正比,gm變2倍需ID變4倍。

正確。 $g_{m} \propto I_{D}$ ,ID 變 4 倍則 gm 變 $4 = 2$ 倍。

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若要使一操作於飽和區的 MOS 電晶體的轉導值增為 2 倍，可藉由下列的何種方式改變汲極電流 ID​ 來達成？