P 通道空乏型 MOSFET 閘極加上正電壓時，其通道導通程度會：

P 通道空乏型 MOSFET 的通道載子為電洞，閘極加正電壓時，正電場會排斥 P 通道中的電洞，使通道變薄、導通能力下降，故為正解。