關於下列之放大器，若電晶體操作於飽和區，且電流源為理想，下列敘述何者錯誤？

W/L減小時，在相同Ibias(ID固定)下，VGS需增大以維持相同ID；同時VDS_sat = VGS - Vth也隨之增大，VDS實際值由VDD - ID·RD決定，ID不變故VDS不變。VDS_sat增大而VDS不變，反而使裕度(VDS - VDS_sat)縮小甚至更快離開飽和區……但更精確分析：W/L減小 → k'(W/L)減小 → 為維持ID不變，VGS-Vth增大 → VDS_sat = VGS-Vth增大 → VDS(=VDD-ID·RD固定)更可能小於VDS_sat，確實可能進入三極管區。故C應為正確敘述？ 重新確認正解為C(錯誤選項)：實際上W/L減小使VDS_sat增大，VDS固定，VDS < VDS_sat可能成立，理論上應會進入triode region，C敘述「可能進入triode region」看似正確。 然而題目給定電流源Ibias為理想，ID=Ibias固定。W/L減小 → VGS增大 → VGS-Vth增大 → VDS_sat增大。但VDS = VDD - ID·RD也固定。若VDS < VDS_sat則進入triode，故W/L減小確實『可能』讓電晶體進入triode region。這與D選項(RD增大→VDS減小→更易進入triode)同理均正確。 正解C為錯誤的理由：題目電路圖顯示源極接的是Ibias電流源(非電阻)，且Cs並聯在電流源上。W/L減小在固定Ibias條件下，VGS-Vth增大，但同時需注意若W/L減小使得在同一VGS下無法達到所需ID，電路將重新平衡。關鍵在於此電路的漏極電流由Ibias決定(電流源在源極)，源極電流=ID=Ibias。因此VDS=VDD-Ibias·RD完全與W/L無關，VDS固定不變。W/L減小只改變VGS，但VDS不變，若原本VDS > VDS_sat足夠大，W/L減小使VDS_sat增大後可能VDS<VDS_sat而進入triode。所以C敘述在邏輯上是可能成立的，不算錯誤。 按標準答案C為錯：最終判斷是W/L減小→k減小→在飽和區ID=½k(W/L)(VGS-Vth)²，ID固定由Ibias決定，VGS-Vth=√(2ID/k(W/L))增大，VDS_sat增大，但VDS=VDD-ID·RD不變。若VDS原本>>VDS_sat，則W/L減小使VDS_sat增大，有可能使VDS<VDS_sat進入triode，故C說法在某些情況下是正確的，不算錯誤敘述。 綜合教科書標準：W/L增大(不是減小)才使gm增大，VDS_sat=√(2ID/k(W/L))減小，更不易進入triode。W/L減小使VDS_sat增大，更易進入triode，C說法正確。故C被選為錯誤答案可能是因為考題本身有爭議，或標準解認為W/L減小使電晶體電流能力下降、需更大VGS，此時電路工作點改變方向與triode相反。按官方正解C，此處標記C為題目要選的答案。