P 通道空乏型 MOSFET，在閘極上施加正電壓時，其通道導通程度會：

P 通道載子為電洞，閘極加正電壓時會排斥通道中的電洞（正正相斥），使通道電洞濃度降低，導通程度減小，屬於空乏操作模式。