圖示電路中場效電晶體 FET 之 $V_T=-0.5$ V 、${\mu }_p{C}_{ox}(W/L)=2$ mA/V${}^2$，欲此電晶體工作在飽和區（Saturation Region），電壓 $v_G$ 應如何？

圖中源極(S)接+3V，汲極(D)接+1V，VT=-0.5V。導通條件：vGS < VT → vG - 3 < -0.5 → vG < 2.5V。飽和條件：vGD ≤ VT → vG - 1 ≤ -0.5 → vG ≤ 0.5V？此為三極體界限，應用vDS ≤ vGS - VT → (1-3) ≤ (vG-3)-(-0.5) → -2 ≤ vG-2.5 → vG ≥ 0.5V。兩條件合併：0.5V ≤ vG ≤ 2.5V，正確答案。