圖示電路中場效電晶體 FET 之 、 ，欲此電晶體工作在飽和區（Saturation Region），電壓 應如何？
A V V
B V V
C V V正確答案
D V V
答案與詳解
逐選項解析
A$0.5\mathrm{V}\leq v_{G}\leq 3.5\mathrm{V}$PMOS飽和條件錯誤✕ 易錯陷阱
上限3.5V未考慮飽和區限制vGD ≤ VT，下限0.5V雖正確，但上限應為2.5V而非3.5V，錯誤範圍。
B$1.5\mathrm{V}\leq v_{G}\leq 3.5\mathrm{V}$下限計算錯誤✕ 易錯陷阱
下限1.5V錯誤。PMOS導通條件vGS < VT = -0.5V，即vG < vS - 0.5 = 3 - 0.5 = 2.5V；下限來自vG > +1V不成立此設，實際下限應為0.5V非1.5V。
C$0.5\mathrm{V}\leq v_{G}\leq 2.5\mathrm{V}$✓ 正確
D$1.5\mathrm{V}\leq v_{G}\leq 2.5\mathrm{V}$✕ 錯誤
立即註冊,看完整詳解
這題的完整詳解,註冊就能看 · 每天 2 題免費
- 完整逐選項解析
- 秒殺解題技巧與破題關鍵
- 關鍵知識表整理
- 陷阱與易錯提醒
- 同考點歷屆題庫連續刷題與錯題本
立即註冊觀看完整詳解 已有帳號?登入
