鐵路人員考試高員三級-電子工程電子學大意104 年第 25 題單選題

有一 n 通道 MOSFET 工作於飽和模式（saturation mode），並構成共源（CS）放大器，該 MOSFET 之臨界電壓 $V_{t} = 0.5 V$ 。當 $V_{GS} = 1.5 V$ 時，其 $I_{D} = 1 m A$ ，則當 $V_{GS}$ 增為 2.5 V 時，其 $I_{D}$ 為：

A仍為

1

B增為

2

C增為

3

D增為

4

mA正確答案

答案與詳解

正確答案

飽和區

I_{D} \propto (V_{GS} - V_{t})^{2}

,過驅動電壓由1V增為2V,電流變4倍。

A仍為 1 mA✕ 錯誤

錯誤,$V_{GS}$ 改變必影響 $I_D$。

B增為 2 mA✕ 錯誤

錯誤,2倍是線性關係的誤判,飽和區為平方關係。

C增為 3 mA✕ 錯誤

D增為 4 mA✓ 正確

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精選詳解

有一 n 通道 MOSFET 工作於飽和模式（saturation mode），並構成共源（CS）放大器，該 MOSFET 之臨界電壓 Vt​=0.5 V 。當 VGS​=1.5 V 時，其 ID​=1 mA ，則當 VGS​ 增為 2.5 V 時，其 ID​ 為：