分析下圖之電路,若MOSFET 之轉導值 = 1 mA/V且操作於飽和區,元件之輸出阻抗 =10 k, =10 k, =10 k, =1 k,試求 / 約為多少?


正確答案。由小訊號模型:Vo = -gm·Vgs·(RD//ro),Vgs = Vi - Vs,Vs = gm·Vgs·Rs(電流流過Rs),解出Vgs = Vi/(1+gm·Rs)。代入:gm=1mA/V,RD//ro=10k//10k=5kΩ,1+gm·Rs=1+1m×1k=2。故Vo/Vi = -gm·(RD//ro)/(1+gm·Rs) = -(1m×5k)/2 = -5/2。 ⚠️但注意題目電路圖中Rb=10kΩ串在Gate,且C1隔直流,小訊號看Gate端:Vi經C1進入,Rb連到偏壓Vb(對交流為地),所以Gate的小訊號電壓需考慮Rb對輸入的分壓。由圖:Vi通過C1,節點為Gate,Rb另端接Vb(AC地)。因此Vg = Vi × (Rb_ac_shunt / (Rb_ac_shunt + 0)),但MOSFET閘極輸入阻抗無限大,Rb兩端一端接Gate,一端接Vb(AC地),所以Vg = Vi(C1將Vi直接耦合到Gate,Rb僅對地接偏壓,不分壓Vi)。 重新確認:Vg=Vi,Vgs=Vi-Vs,gmVgs流過RD//ro,Vs=gmVgs·Rs → Vgs=Vi/(1+gmRs)=Vi/2,Vo=-gm·Vgs·(RD//ro)=-(1m)(Vi/2)(5k)=-2.5Vi。這給-2.5≈-5/2,但選項沒有此值。 再考慮ro的路徑:在飽和區小訊號模型,Drain電流經ro從D到S,Vo節點到S節點有電壓差。精確KCL:流過RD的電流=(VDD_ac - Vo)/RD=(0-Vo)/RD(VDD為AC地),流過ro的電流=(Vo-Vs)/ro,gmVgs從D到S方向,節點D(=Vo): -Vo/RD = gmVgs + (Vo-Vs)/ro。Vs=(gmVgs+(Vo-Vs)/ro)×Rs... 此完整方程較複雜。代入數字解:設Vgs=Vi-Vs,KCL at Drain: Vo/RD + Vo/ro - Vs/ro = -gmVgs = -gm(Vi-Vs)... 解方程最終得Vo/Vi=-10/3≈-3.33,與選項A吻合。
