有關空乏型 MOSFET 之操作特性，下列敘述何者錯誤？
A空乏型 MOSFET 所加的 VGS 可為正值或負值
B對於 n 通道的空乏型 FET，若增加正值 VGS 會使 ID 變小正確答案
C空乏型 MOSFET 所加的 VGS = 0，ID 可以不為零
D欲使 n 通道的空乏型 MOSFET 的 ID = 0，則所加的 VGS 需為負值
答案與詳解
逐選項解析
A空乏型 MOSFET 所加的 VGS 可為正值或負值✕ 錯誤
正確。空乏型 MOSFET 因初始已有通道，VGS 可正（增強）可負（空乏）亦可為零，操作範圍較增強型廣。
B對於 n 通道的空乏型 FET，若增加正值 VGS 會使 ID 變小✓ 正確
C空乏型 MOSFET 所加的 VGS = 0，ID 可以不為零✕ 錯誤
正確。空乏型製造時即有預設通道，VGS=0 時仍有 IDSS（飽和汲極電流）流過，這是與增強型最大差異。
D欲使 n 通道的空乏型 MOSFET 的 ID = 0，則所加的 VGS 需為負值✕ 錯誤
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