有關空乏型 MOSFET 之操作特性，下列敘述何者錯誤？
A空乏型 MOSFET 所加的 VGS 可為正值或負值
B對於 n 通道的空乏型 FET，若增加正值 VGS 會使 ID 變小正確答案
C空乏型 MOSFET 所加的 VGS = 0，ID 可以不為零
D欲使 n 通道的空乏型 MOSFET 的 ID = 0，則所加的 VGS 需為負值
答案與詳解
為什麼答案是 B
錯誤（本題要選）。n 通道空乏型 FET 施加正 VGS 會「增強」通道電子濃度，使 ID 變大而非變小，方向完全相反。
考點：VGS 雙極性考點：方向顛倒陷阱考點：IDSS 特性考點：夾止電壓
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