Examly題庫
國營聯招 儀電電路學、電子學113 年第 47 題單選題考點:JFET工作原理考點:匱乏區變化

有一N通道JFET在歐姆區內正常工作,若閘極與源極間電壓VGS負值越大時,下列何者正確?

A匱乏區越大,D極及S極的有效阻抗越大正確答案
B匱乏區越小,D極及S極的有效阻抗越大
C匱乏區越大,D極及S極的有效阻抗越小
D匱乏區越小,D極及S極的有效阻抗越小
答案與詳解
A
正確答案
N通道JFET的VGS負值越大,反向偏壓增加使匱乏區變寬,通道變窄導致DS間阻抗變大。

逐選項解析

A匱乏區越大,D極及S極的有效阻抗越大JFET工作原理✓ 正確
VGS負值越大代表反向偏壓增加,使得PN接面的匱乏區變大,進而壓縮導電通道,導致DS間的有效阻抗變大。
B匱乏區越小,D極及S極的有效阻抗越大匱乏區變化✕ 易錯陷阱
VGS負值增加會使反向偏壓變大,匱乏區應該是「變大」而非變小。
C匱乏區越大,D極及S極的有效阻抗越小✕ 錯誤
D匱乏區越小,D極及S極的有效阻抗越小✕ 錯誤

立即註冊,看完整詳解

這題的完整詳解,註冊就能看 · 每天 2 題免費

精選詳解
  • 完整逐選項解析
  • 秒殺解題技巧與破題關鍵
  • 關鍵知識表整理
  • 陷阱與易錯提醒
  • 同考點歷屆題庫連續刷題與錯題本
接著練習整份考卷查看 113 年 國營聯招 儀電《電路學、電子學》完整試題與解答

電路學、電子學 相關題目

想練更多電路學、電子學考古題?

Examly 收錄 50 萬+ 道歷屆題目,每題都有像這樣的精選詳解。免費下載,立即開練。

Examly