半導體偵檢器的載體空乏區（depletion region）的寬度與外加的逆向電壓成何種關係？
A一次方成反比
B一次方成正比
C平方根成正比正確答案
D平方根成反比
答案與詳解
逐選項解析
A一次方成反比方向錯誤✕ 錯誤
一次方反比意味電壓越大空乏區越小，與半導體 PN 接面物理相反。逆向偏壓增加會把更多載子推離接面，空乏區應變寬而非變窄。
B一次方成正比次方數誤判✕ 易錯陷阱
陷阱選項！方向對（電壓增 → 寬度增），但忽略電壓在根號內。從 Poisson 方程式積分推導，W² ∝ V，故 W ∝ √V，不是線性正比。
C平方根成正比✓ 正確
D平方根成反比✕ 錯誤
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