半導體偵檢器的載體空乏區（depletion region）的寬度與外加的逆向電壓成何種關係？

正解。由 PN 接面 Poisson 方程推得 W = √(2ε(V_bi+V)/qN)，逆向偏壓 V 開根號後與寬度成正比。提高偏壓 → 空乏區變寬 → 靈敏體積增大 → 偵檢效率提升。