下圖是一矽場效電晶體（Si FET）元件的剖面結構，各層使用不同材料，圖中僅標示某假想製程厚度，此電晶體的臨界電壓（threshold voltage）的絕對值為 $|V_{th}| = 0.5 \, V$ 。 $V_{…

Question

下圖是一矽場效電晶體（Si FET）元件的剖面結構，各層使用不同材料，圖中僅標示某假想製程厚度，此電晶體的臨界電壓（threshold voltage）的絕對值為 $|V_{th}| = 0.5 \, V$ 。 $V_{D1} = 2 \, V$ ， $V_{D2} = -2 \, V$ ， $V_{D} = 2 \, V$ ， $V_{E} = -2 \, V$ 。試由此結構剖面判斷此電晶體的類型為下列何者？
(A) N-channel MOSFET（N 通道金氧半場效電晶體）
(B) P-channel MOSFET（P 通道金氧半場效電晶體）
(C) CMOSFET（互補式金氧半場效電晶體）
(D) FIN FET（鰭式場效電晶體）

Accepted Answer

正確答案為 A。 觀察剖面圖，基板為 P 型（p-），源極與汲極為 N 型（n+），導通時會形成 N 型通道，故為 N 通道 MOSFET。 (A) 【NMOS結構】圖中基板（A層）標示為 p-（P型半導體），而源極與汲極區域標示為 n+（重摻雜N型半導體）。當閘極施加足夠正電壓時，會在 P 型基板表面感應出電子，形成 N 型通道，因此為 N-channel MOSFET。 (B) 【PMOS結構】若為 P-channel MOSFET，其基板應為 N 型半導體，且源極與汲極應為 p+ 摻雜，與圖示不符。

逐選項解析

立即註冊,看完整詳解

電子學大意相關題目

想練更多電子學大意考古題？

逐選項解析

立即註冊,看完整詳解

電子學大意 相關題目

想練更多電子學大意考古題？

電子學大意相關題目