警察鐵路電子學大意106 年第 1 題單選題

下圖是一矽場效電晶體（Si FET）元件的剖面結構，各層使用不同材料，圖中僅標示某假想製程厚度，此電晶體的臨界電壓（threshold voltage）的絕對值為 | Vth| = 0.5 V。VD1 = 2 V，VD2 = -2 V，VD = 2 V，VE = -2 V。試由此結構剖面判斷此電晶體的類型為下列何者？

AN-channel MOSFET（N 通道金氧半場效電晶體）正確答案

BP-channel MOSFET（P 通道金氧半場效電晶體）

CCMOSFET（互補式金氧半場效電晶體）

DFIN FET（鰭式場效電晶體）

答案與詳解

正確答案

觀察剖面圖，基板為 P 型（p-），源極與汲極為 N 型（n+），導通時會形成 N 型通道，故為 N 通道 MOSFET。

圖中基板（A層）標示為 p-（P型半導體），而源極與汲極區域標示為 n+（重摻雜N型半導體）。當閘極施加足夠正電壓時，會在 P 型基板表面感應出電子，形成 N 型通道，因此為 N-channel MOSFET。

考點：NMOS結構考點：PMOS結構考點：CMOS結構考點：FinFET結構

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