下圖是一矽場效電晶體（Si FET）元件的剖面結構，各層使用不同材料，圖中僅標示某假想製程厚度，此電晶體的臨界電壓（threshold voltage）的絕對值為 $|V_{th}| = 0.5 \, V$ 。 $V_{D1} = 2 \, V$ ， $V_{D2} = -2 \, V$ ， $V_{D} = 2 \, V$ ， $V_{E} = -2 \, V$ 。試由此結構剖面判斷此電晶體的類型為下列何者？

正確答案為 A。觀察剖面圖，基板為 P 型（p-），源極與汲極為 N 型（n+），導通時會形成 N 型通道，故為 N 通道 MOSFET。

【106 鐵路人員考試高員三級-電子工程】電子學大意第1題：下圖是一矽場效電晶體（Si FET）元件的剖… 答案與詳解

A

正確答案

觀察剖面圖，基板為 P 型（p-），源極與汲極為 N 型（n+），導通時會形成 N 型通道，故為 N 通道 MOSFET。

圖中基板（A層）標示為 p-（P型半導體），而源極與汲極區域標示為 n+（重摻雜N型半導體）。當閘極施加足夠正電壓時，會在 P 型基板表面感應出電子，形成 N 型通道，因此為 N-channel MOSFET。

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