專技高考-醫事放射師核子醫學診療原理與技術學106 年第 71 題單選題
圖為99mTc 之加馬能譜，已知II為主能峰（140 keV），對於能譜的敘述何者錯誤？
AI為 iodine escape peak
BIII為Compton peak正確答案
CIV為 Compton plateau
DV為 Compton backscatter
B正確答案
99mTc加馬能譜中，峰III位於約35 keV，對應鉛X光特性輻射（Pb K X-ray / lead escape peak），而非Compton peak，故B錯誤。
為什麼答案是 B
圖中III峰位於約35 keV，此為鉛屏蔽材料（Pb）受激發後放出的鉛K特性X射線峰（Pb X-ray peak / lead fluorescence peak），並非Compton peak。Compton peak應出現在更低能量且為連續分佈的背散射峰。B的描述錯誤，故為本題應選答案。
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完整詳解
Pro · 無限重點 99mTc加馬能譜中，峰III位於約35 keV，對應鉛X光特性輻射（Pb K X-ray / lead escape peak），而非Compton peak，故B錯誤。
圖中III峰約在35 keV處，能量太低不符合Compton散射峰位置；那是偵測器（NaI/鉛屏蔽）產生的鉛K X射線峰，B描述為Compton peak明顯錯誤。
逐選項分析
A✕
圖中I峰位於約112 keV處，即140 keV主峰減去碘的K邊緣能量約28 keV，此即NaI(Tl)偵測器中碘原子的iodine escape peak，A描述正確。
B✓ 正確
圖中III峰位於約35 keV，此為鉛屏蔽材料（Pb）受激發後放出的鉛K特性X射線峰（Pb X-ray peak / lead fluorescence peak），並非Compton peak。Compton peak應出現在更低能量且為連續分佈的背散射峰。B的描述錯誤，故為本題應選答案。
C✕
圖中IV區域位於低能量端（0~30 keV附近）呈較平坦分佈，為Compton plateau（康普頓坪），是多次Compton散射事件的連續能量沉積區，C描述正確。
D✕
圖中V標記在約90 keV的低谷附近（Compton backscatter peak約在90 keV），為140 keV光子在屏蔽材料或患者體內發生180°背散射後進入偵測器的能量峰，D描述正確。
99mTc加馬能譜各區域對照
| 標記 | 能量位置(約) | 名稱 | 成因 |
|---|
| II | 140 keV | 主能峰 (photopeak) | 99mTc發射的140 keV γ射線全能量沉積 |
| I | ~112 keV | Iodine escape peak | NaI偵測器中I原子逸出，損失~28 keV |
| III | ~35 keV | Pb K X-ray peak（非Compton peak） | 鉛屏蔽受激發放出特性X射線 |
| IV | 0~30 keV | Compton plateau | 多重康普頓散射連續能量分布 |
| V | ~90 keV | Compton backscatter peak | 180°背散射光子能量：E'=140/(1+2×140/511)≈90 keV |
圖中III約在35 keV出現小峰，考生直覺認為「低能量小峰＝Compton相關」，但實際上這是鉛屏蔽材料的K層特性X射線峰（Pb K X-ray ~72~88 keV？實際依鉛熒光但在NaI能譜圖上常見約35 keV的鉍/鉛X射線），需區分「特性X射線峰」與「Compton散射相關峰」的本質差異。 
