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專技高考-醫事放射師醫學物理學與輻射安全11225單選題

臨床電子射束通過物質密度變化大的區域時(如擋塊邊緣)常造成劑量冷熱區,下列敘述何者正確?

A在高密度物質下方形成劑量熱區
B在低密度物質下方形成劑量冷區
C主要由電子散射擾動造成正確答案
D主要由射束衰減差異造成
答案與詳解
C
正確答案
電子射束在密度不均介面(擋塊邊緣)的劑量冷熱區,主因是電子散射方向被擾動,造成側向散射不平衡,而非射束衰減差異。

為什麼答案是 C

正解。電子在密度變化大的介面(如擋塊邊緣)會發生庫倫散射,側向散射平衡被破壞,造成局部劑量過多或不足,即冷熱區。電子受散射擾動主導,是本題核心觀念。

考點:高密度下方冷區考點:低密度下方熱區考點:電子散射擾動考點:衰減屬光子機制
載入中…

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