組織內屏蔽塊（internal shielding）用於電子射束放射治療時，下列有關電子回散射（electron backscatter）劑量的敘述何者正確？
A隨電子射線能量增加而遞增
B回散射所在介面的電子能量若小於10 MeV，在軟組織中10%的回散射相對劑量影響範圍約為1 cm
C隨組織內屏蔽塊所用材質之原子序增加而遞減
D使用鉛為屏蔽材料時，若回散射所在介面的電子能量為5 MeV，則介面處的回散射相對劑量約為56%正確答案
答案與詳解
逐選項解析
A隨電子射線能量增加而遞增能量反比✕ 易錯陷阱
錯誤。電子回散射與能量呈反比關係：能量越高、電子穿透力越強、向後散射機率越低，因此EBF隨電子能量「增加而遞減」，不是遞增。
B回散射所在介面的電子能量若小於10 MeV，在軟組織中10%的回散射相對劑量影響範圍約為1 cm回散射範圍✕ 易錯陷阱
錯誤。能量<10 MeV時，回散射電子在軟組織中達到10%相對劑量的影響範圍約為「2 cm」上游處，而非1 cm。臨床屏蔽塊上方需加足夠軟組織等效物以衰減回散射。
C隨組織內屏蔽塊所用材質之原子序增加而遞減✕ 易錯陷阱
D使用鉛為屏蔽材料時，若回散射所在介面的電子能量為5 MeV，則介面處的回散射相對劑量約為56%✓ 正確
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