五等-電子工程電子學大意110 年第 4 題單選題

下圖是一矽場效電晶體（Si FET）元件的剖面結構，各層使用不同材料，圖中僅標示某假想製程厚度，此電晶體的臨界電壓（threshold voltage）的絕對值為 $∣ V_{t h} ∣ = 0.5 V \circ V_{D 1} = 2 V, V_{D 2} = - 2 V, V_{D} = 2 V, V_{E} = - 2 V$ 。試由此結構剖面判斷此電晶體的汲極（Drain）是那一個接點？

AVD1 接點正確答案

BVD2 接點

CVD 接點

DVE 接點

答案與詳解

正確答案

由剖面圖判斷FET汲極：VD1接點連接左側n⁺區，在給定偏壓條件下為汲極端，VD2為源極，VD為閘極，VE為基板背閘極。

由圖可見VD1接點連接左側n⁺（B層）區域。對NMOS而言，汲極為電位較高的n⁺端。VD1=+2V > VD2=-2V，故VD1端為汲極。左側n⁺區域在正偏壓下扮演吸收通道中多數載子（電子）流出的角色，符合汲極定義。

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