下圖是一矽場效電晶體（Si FET）元件的剖面結構，各層使用不同材料，圖中僅標示某假想製程厚度，此電晶體的臨界電壓（threshold voltage）的絕對值為 |Vth| = 0.5 V。VD1 = 2 V，VD2 = -2 V，VD = 2 V，VE = -2 V。試由此結構剖面判斷此電晶體的汲極（Drain）是那一個接點？
AVD1 接點正確答案
BVD2 接點
CVD 接點
DVE 接點
答案與詳解
為什麼答案是 A
由圖可見VD1接點連接左側n⁺（B層）區域。對NMOS而言，汲極為電位較高的n⁺端。VD1=+2V > VD2=-2V，故VD1端為汲極。左側n⁺區域在正偏壓下扮演吸收通道中多數載子（電子）流出的角色，符合汲極定義。
考點：MOSFET汲極判斷考點：源極vs汲極區分考點：閘極結構辨識考點：基板/Body端辨識
載入中…
