有關 P-N 接面二極體之敘述，下列何者錯誤？
A溫度越高，雪崩式崩潰（Avalanche breakdown）之崩潰電壓越大
B溫度越高，稽納式崩潰（Zener breakdown）之崩潰電壓越大正確答案
C雜質濃度較濃之一側，空乏區較小
D逆向偏壓時，一般不考慮擴散電容（diffusion capacitance）
答案與詳解
為什麼答案是 B
錯誤（本題答案）。稽納崩潰是強電場下電子直接穿隧通過能障，溫度升高使能隙（Eg）縮小，電子更容易穿隧，所需崩潰電壓反而『降低』，具負溫度係數。此為本題陷阱。
考點：雪崩崩潰正溫度係數考點：稽納崩潰負溫度係數考點：空乏區與濃度反比考點：逆偏用接面電容
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