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初考-電子工程電子學大意105 年第 24 題單選題

一個長通道 N 增強型 MOSFET， $V_{t h} = 1 V$ ，當 $V_{GS} = 3 V$ 、 $V_{D S} = 4.5 V$ 時， $I_{D} = 0.8 m A$ ；當 $V_{GS} = 2 V$ 、 $V_{D S} = 4.5 V$ 時， $I_{D}$ 為何？

A0.8 mA

B0.4 mA

C0.2 mA正確答案

D0.1 mA

答案與詳解

C

正確答案

先判斷 MOSFET 工作於飽和區，再利用飽和區電流公式中 ID 與 (VGS - Vth)² 成正比的關係，即可快速求出答案。

為什麼答案是 C

正確。兩次狀態皆為飽和區，代入比例式：ID2 = 0.8 × [(2-1)² / (3-1)²] = 0.8 × (1/4) = 0.2 mA。

載入中…

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