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初考-電子工程電子學大意1054單選題

場效電晶體在飽和區(saturation region)的有限輸出阻抗,是由於:

A本體效應(Body effect)
B通道長度調變效應(Channel length modulation effect)正確答案
C溫度效應(Temperature effect)
D密勒效應(Miller effect)
答案與詳解
B
正確答案
MOSFET 飽和區 I_D 仍隨 V_DS 微增,源於通道長度調變效應,造成有限輸出阻抗 r_o。

為什麼答案是 B

飽和區 V_DS 上升使夾止點往源極移動,有效通道長度縮短,I_D 略增。以 λ 建模,r_o ≈ 1/(λ·I_D),即有限輸出阻抗來源。

考點:本體效應→V_T考點:通道長度調變考點:溫度效應考點:密勒效應→頻寬
載入中…

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