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初考-電子工程電子學大意105 年第 4 題單選題

場效電晶體在飽和區(saturation region)的有限輸出阻抗,是由於:

A本體效應(Body effect)
B通道長度調變效應(Channel length modulation effect)正確答案
C溫度效應(Temperature effect)
D密勒效應(Miller effect)
答案與詳解
B
正確答案
MOSFET 飽和區 I_D 仍隨 V_DS 微增,源於通道長度調變效應,造成有限輸出阻抗 r_o。

逐選項解析

A本體效應(Body effect)✕ 易錯陷阱
本體效應是指源極與基體偏壓差造成臨界電壓 V_T 改變,影響的是 V_T 而非輸出阻抗 r_o,考生易混淆。
B通道長度調變效應(Channel length modulation effect)✓ 正確
C溫度效應(Temperature effect)✕ 錯誤
溫度影響載子遷移率與 V_T,屬於偏壓穩定性問題,與飽和區輸出阻抗的本質無關。
D密勒效應(Miller effect)✕ 易錯陷阱

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