如圖所示放大器，若電晶體操作於飽和區，電流源為理想，且忽略元件之寄生電容效應，下列敘述何者錯誤？
A增加 $V_{bias}$ 將提高放大器之電壓增益正確答案
B增加 C 值可降低放大器之低頻 3-dB 頻率 $\omega_{L}$
C增加電晶體之 W/L 可提高放大器之電壓增益
D增加 $R_{L}$ 可提高放大器之電壓增益
答案與詳解
逐選項解析
A增加 $V_{bias}$ 將提高放大器之電壓增益✓ 正確
理想電流源使 \(I_D=I_{bias}\) 為定值，\(g_m\) 與 \(V_{bias}\) 無關；\(V_{bias}\) 僅設定 DC 偏壓點，不影響小訊號增益 \(-g_mR_L\)。
B增加 C 值可降低放大器之低頻 3-dB 頻率 $\omega_{L}$✕ 錯誤
耦合電容 C 與輸出端電阻形成高通；C↑ → \(\omega_L=1/(R_{eq}C)\)↓。
C增加電晶體之 W/L 可提高放大器之電壓增益✕ 錯誤
D增加 $R_{L}$ 可提高放大器之電壓增益✕ 錯誤
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