若 MOSFET 電晶體操作於飽和區（Saturation Region） ，有關其小訊號模型的敘述，下列何者錯誤？
A電流 ID 越大，則轉導值（gm）越小正確答案
BCgs＞Cgd
CID 越大，ro 越小
D過驅電壓越大（Overdrive Voltage），則轉導值（gm）越大
答案與詳解
為什麼答案是 A
錯誤敘述（題目要選的答案）。飽和區 gm = √(2μnCox(W/L)·ID)，與 ID 的平方根成正比，ID 越大 gm 越大，不是越小。此為反向題正解。
考點：gm 與 ID 關係考點：電容不對稱考點：通道長度調變考點：gm 與 Vov 關係
載入中…
